产品概述及特点
萨瑞微提供650V-1200V SIC SBD和Planar SIC MOSFET 。
碳化硅材料宽禁带特性使SIC MOSFET可以承受极端高温工作环境，高热导率特性减少功率器件散热装置体积和数量，高击穿场强使SIC MOSFET在保证耐压条件下有更小导通电阻，高饱和速度使SIC MOSFET具有更高开关频率和更优异的反向恢复特性。
主要应用：
应用于光伏逆变器、新能源汽车、储能、充电桩等。
