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- IGBT
- SIC Device
典型的产品型号：
小型化：3134、3139、3160、2N7002
小电流：23、34、2N7002、138K
功率Trench：112N06、100N30、127P03、27P03
功率SGT：SG22N10、SG27N10、SG46N10、SG27NE8、SG45NE8、SG28N06、SG80N06、SG45N04
典型的产品型号：
ESD：SEU、SEH、ESN、SES/SEP、带回扫产品
PTVS：M4SMF、SMF、SMBJ、SMCJ、5.0SMDJ、6.6SMDJ、SM8S
TSS：TA、TB、SB、SC、-MC低容产品系列
GDT：2RxxD、2RxxX、2RxxI、3RxxX、2RxxS、2RxxI
肖特基
小信号：BAT54、BAS40、BAS70、5819、 SD103A
小功率：SS3XXF、SS5xxA、SS5xxB、SS10xxC
大功率：SSP10100D、SSP20150C、SSP30150C、SSP10150C、SST10100D、SST20150C、SSP0565D
二三极管
三极管：3904、3906、5658、9014、9015、8050、8550、847、857
稳压管：BZT52;MMSZ52;MMSZ4...等系列
快恢复：TO-252、TO-220、TO-263、 SOD123FL、SMA、SMB、SMC
开关管：BAV99、1N4148、914、BAV70、BAV19、BAV20、BAV21、BAV23
整流桥：MB10F、 MB10S、GBP20/30/40、GBU15/25/40/60/80、GBJ20/25/35/50
主要性能：
输入耐压：8-45V
输出耐压：0.6-5V，ADJ可调
精度：1.5%-2%
输出电流：100-1500mA
特别性能：输出电压可调，低消耗电流，低噪音，高纹波抑制比
主要封装：SOT23-3、 SOT23-5、 SOT23-6、SOT223、 SOT89、DFN1010-4、DFN2020-6
产品概述及特点
萨瑞微提供600V-1200V IGBT晶圆、单管和模组。
萨瑞IGBT产品通过优化设计和优化器件结构，优化了产品导通压降Vcesat、开关损耗Eon和Eoff、短路能力Tsc，使产品具有更高功率密度、优异性能、高可靠性。
主要应用：
应用于新能源车，电机驱动，高频电源，感应加热、光伏逆变器、充电桩等。
产品概述及特点
萨瑞微提供650V-1200V SIC SBD和Planar SIC MOSFET 。
碳化硅材料宽禁带特性使SIC MOSFET可以承受极端高温工作环境，高热导率特性减少功率器件散热装置体积和数量，高击穿场强使SIC MOSFET在保证耐压条件下有更小导通电阻，高饱和速度使SIC MOSFET具有更高开关频率和更优异的反向恢复特性。
主要应用：
应用于光伏逆变器、新能源汽车、储能、充电桩等。
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SOD封装
SOT封装
SMT封装
TO封装
PDFN封装
产品应用
上海研发中心/销售中心
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